俄羅斯政府近日宣布，將投入超過2400億盧布（約合25.4億美元）的資金，用于支持國產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需的設(shè)備、CAD工具及原材料的研發(fā)。這一計劃旨在推動國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)替代，實現(xiàn)對國外約70%半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化。

據(jù)報道，已有50多個組織參與了該計劃的實施。目前已啟動了41個研發(fā)項目，預(yù)計將在未來幾年內(nèi)啟動更多的項目。這一計劃由俄羅斯工業(yè)部、貿(mào)易部、俄羅斯國際科學(xué)技術(shù)中心（ISTC）MIET電子工程部制定，涉及半導(dǎo)體制造的多個環(huán)節(jié)，包括技術(shù)設(shè)備、材料和化學(xué)品、計算機輔助設(shè)計（CAD）系統(tǒng)等。

然而，目前俄羅斯芯片制造商Angstrem、Mikron等所能夠生產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝仍然停留在65nm或90nm等成熟節(jié)點，并且大量依賴于國外的半導(dǎo)體制造設(shè)備，尤其是光刻設(shè)備。此外，俄羅斯還面臨著來自美國、歐盟、日本等國家和地區(qū)對半導(dǎo)體的出口管制，導(dǎo)致進(jìn)口相關(guān)芯片和微電子制造設(shè)備變得更加困難。

為了解決這些問題，俄羅斯工業(yè)部和貿(mào)易部以及ISTC制定了國產(chǎn)替代計劃，以加速實現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的關(guān)鍵部件的本地化生產(chǎn)。該計劃涵蓋了多種不同的技術(shù)和工藝路線，包括從180nm到28nm的微電子學(xué)、微波電子學(xué)、光子學(xué)、電力電子學(xué)、光掩模生產(chǎn)、電子元件和模塊的組裝、無源電子學(xué)的生產(chǎn)等。

盡管這一計劃的戰(zhàn)略目標(biāo)非常明確，即到2030年實現(xiàn)大約70%的芯片制造設(shè)備和原材料的國產(chǎn)化，但在具體的實施過程中，由于缺乏詳細(xì)的細(xì)節(jié)，執(zhí)行起來存在一定的難度。例如，俄羅斯計劃在2026年底實現(xiàn)利用國產(chǎn)設(shè)備來生長單晶、切割硅晶圓、研磨和拋光、洗滌和干燥、應(yīng)用元素并控制輸出產(chǎn)品的X射線衍射儀、缺陷控制等方面的技術(shù)突破，但對于如何實現(xiàn)這一目標(biāo)，仍需進(jìn)一步探討。

總的來說，盡管俄羅斯政府采取了一系列積極的措施，如引進(jìn)先進(jìn)的國產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，但要完全實現(xiàn)國產(chǎn)化還需要付出巨大的努力和時間。此外，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球范圍內(nèi)的競爭日益激烈，俄羅斯還需要與其他主要競爭對手爭奪市場份額，以便最終達(dá)到其戰(zhàn)略目標(biāo)。