俄羅斯政府近日宣布，將投入超過2400億盧布（約合25.4億美元）的資金，用于支持國產半導體制造所需的設備、CAD工具及原材料的研發。這一計劃旨在推動國產半導體設備和材料的國產替代，實現對國外約70%半導體設備和材料的國產化。

據報道，已有50多個組織參與了該計劃的實施。目前已啟動了41個研發項目，預計將在未來幾年內啟動更多的項目。這一計劃由俄羅斯工業部、貿易部、俄羅斯國際科學技術中心（ISTC）MIET電子工程部制定，涉及半導體制造的多個環節，包括技術設備、材料和化學品、計算機輔助設計（CAD）系統等。

然而，目前俄羅斯芯片制造商Angstrem、Mikron等所能夠生產的最先進的制程工藝仍然停留在65nm或90nm等成熟節點，并且大量依賴于國外的半導體制造設備，尤其是光刻設備。此外，俄羅斯還面臨著來自美國、歐盟、日本等國家和地區對半導體的出口管制，導致進口相關芯片和微電子制造設備變得更加困難。

為了解決這些問題，俄羅斯工業部和貿易部以及ISTC制定了國產替代計劃，以加速實現半導體設備的關鍵部件的本地化生產。該計劃涵蓋了多種不同的技術和工藝路線，包括從180nm到28nm的微電子學、微波電子學、光子學、電力電子學、光掩模生產、電子元件和模塊的組裝、無源電子學的生產等。

盡管這一計劃的戰略目標非常明確，即到2030年實現大約70%的芯片制造設備和原材料的國產化，但在具體的實施過程中，由于缺乏詳細的細節，執行起來存在一定的難度。例如，俄羅斯計劃在2026年底實現利用國產設備來生長單晶、切割硅晶圓、研磨和拋光、洗滌和干燥、應用元素并控制輸出產品的X射線衍射儀、缺陷控制等方面的技術突破，但對于如何實現這一目標，仍需進一步探討。

總的來說，盡管俄羅斯政府采取了一系列積極的措施，如引進先進的國產設備和技術，但要完全實現國產化還需要付出巨大的努力和時間。此外，隨著半導體產業在全球范圍內的競爭日益激烈，俄羅斯還需要與其他主要競爭對手爭奪市場份額，以便最終達到其戰略目標。